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在材料科學和物理學領域，衍射技術是一種重要的分析工具，用于研究材料的晶體結構、相組成和微觀應力等關鍵性質。衍射數(shù)據(jù)庫卡片，作為衍射實驗的重要參考，扮演著至關重要的角色。這些卡片詳細記錄了各種已知物質的標準衍射圖案，為科學家和工程師提供了識別和分析未知材料的依據(jù)。該卡片的起源可以追溯到20世紀初，當時科學家們開始利用X射線衍射分析晶體結構。隨著研究的深入，人們發(fā)現(xiàn)有必要系統(tǒng)地收集和整理各種物質的衍射數(shù)據(jù)，以便比對和參考。于是，衍射數(shù)據(jù)庫應運而生，成為科研工作者不可或缺的參考資料...

X射線三維成像系統(tǒng)是實驗室中常用的設備，主要用于樣品的內部結構分析。這種設備在使用過程中，需要注意養(yǎng)護，以保證其正常工作和使用壽命。以下是一些養(yǎng)護細節(jié)：1.清潔：X射線三維成像系統(tǒng)的外部和內部都應保持清潔。外部可以用軟布擦拭，內部則需用專用的清潔劑和工具進行清潔。特別注意不要讓灰塵和雜質進入設備內部，否則可能會影響設備的性能。2.溫度和濕度：設備應存放在溫度和濕度適宜的環(huán)境中。過高或過低的溫度都可能影響設備的正常工作，濕度過高可能會導致設備內部的電路短路。3.電源：設備的電源...

衍射圖，討論二對于非缺面孿晶導致|Fo|不對的問題，如果我們養(yǎng)成了良好的習慣：對于所有的晶體都應在RLATT里檢查倒易點陣的排列，那么我們就會馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問題。然而除了非缺面孿晶，晶體的問題還包括很多，比如超晶格，調制結構（周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點），彌散的衍射信號等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過程中，通常是基于定出的晶胞對有限的數(shù)據(jù)進行還原，而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，所以很多被排除在外的信號其實表示了晶體內含的一些結構性質。而這些在hkl文件并不會體現(xiàn)出來。從某種意義上說，單晶...

衍射圖，討論一關于很多同學眼中的“鬼峰”，我們看過了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理（數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正）對|Fo|的影響。很多時候在遇到偏大的Q峰的時候，不管是一些審稿人還是學生，都會馬上去想到“吸收校正”（不知道這個想法起源于何處），然后很多同學會莫名地把90%的原因歸結于此。甚至在沒有看過數(shù)據(jù)的情況下，立刻的回答就是去做吸收校正。然而對于常見的莫名其妙的鬼峰的原因，比如晶體和測試的問題，卻常常被忽略。這里面的原因有很多，我相信大多數(shù)同學拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl，而不是衍射圖...

引言寬帶隙鈣鈦礦（1.68eV）是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的重要前電池吸光材料。然而，這類寬帶隙鈣鈦礦太陽電池中存在大量缺陷誘導的非輻射電荷復合，導致器件開路電壓（VOC）遠低于理論值，嚴重限制了器件效率的進一步提升。深能級受體缺陷是影響VOC的主要因素，缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應用成果近日，陜西師范大學方志敏&馮江山&劉生忠團隊通過采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉換效率（PCE）高達21.63%，VOC達1.239V（VOC損失低至4...

回顧2022年，ULVAC-PHI各個系列的XPS儀器——VersaProbe、Quantera和Quantes對科研發(fā)展和技術進步做出了重要貢獻。據(jù)統(tǒng)計，借助PHIXPS設備，2022年已發(fā)表超過4400篇的學術出版物，包括期刊文章和書籍等。其中，有99項工作發(fā)表在《Nature》和《Science》等高影響力期刊上。例如，我們的用戶利用PHIVersaProbe設備對嵌入磁性CoNi合金顆粒的摻氮碳纖維復合材料表面進行了表征，研究發(fā)現(xiàn)該材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。該項...

引言光伏發(fā)電新能源技術對于實現(xiàn)碳中和目標具有重要意義。近年來，基于有機-無機雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發(fā)展，目前報道的光電轉化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調整空間，因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調控的光電性質。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長過程中會出現(xiàn)多相競爭問題，導致薄膜初始組分分布不均一，這嚴重降低了器件效率和壽命。圖1.鈣鈦礦晶體結構TOF-SIMS應用成果由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生...

XPS的探測深度在10nm以內，然而對于實際的器件，研究對象往往會超過10nm的信息深度，特別是在一些電氣設備中，有源層總是被掩埋在較厚的電極之下。因此，利用XPS分析此類樣品，需要結合離子刻蝕技術。顯然，離子刻蝕存在擇優(yōu)濺射效應，特別是對于金屬氧化物，會破壞樣品原始的化學態(tài)，導致只憑常規(guī)XPS無法直接對埋層區(qū)域進行無損深度分析。好在研究表明增加X射線的光子能量可以增加探測深度。對此，ULVAC-PHI推出了實驗室HAXPES設備，且可同時配備微聚焦單色化AlKα(1486....